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MOC3061导通

发布时间:2019-09-10 阅读:

  为了提高效率,使触发脉冲取交换电压同步,要求每隔半个交换电的周期输出一个触发脉冲,且触发脉冲电压应大于4V,脉冲宽度应大于20us.图中BT为变压器,TPL521-2为器累计移相时间,然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B两点电压输出波形如图2所示。

  此时无论是打开开关、和封闭开关(驱动MOC306或者不驱动MOC3061)可控硅都是导通的,安照这个电路接的线开路时,却有T1、T2的区别。G极取T1之间总存正在一个电压差,即T1取T2之间的电压差,各式纠结和查看材料后才发觉G极和T1之间的关系,所以双向可控硅虽然没有正、负极的区别,这个电压差就导通了可控硅,当交换电流过双向可控硅时,即不克不及封闭可控硅,G极的电压等于T2的电压,

  电路如图3所示,图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器,也属于光电耦合器的一种,用来驱动双向可控硅BCR而且起到隔离的感化,R6为触发限流电阻,R7为BCR门极电阻,防止误触发,提高抗干扰能力。当单片机80C51的P1.0引脚输出负脉冲信号时T2导通,MOC3061导通,触发BCR导通,接通交换负载。别的,若双向可控硅接感流负载时,因为电源电压超前负载电流一个相位角,因而,当负载电流为零时,电源电压为反向电压,加上感性负载自感电动势el感化,使得双向可控硅承受的电压值远远跨越电源电压。虽然双向可控硅反领导通,但容易击穿,故必需使双向可控硅能承受这种反向电压。一般正在双向可控硅两极间并联一个RC阻容接收电路,实现双向可控硅过电压,图3中的C2、R8为RC阻容接收电路。

 

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